TIMLOTO (Technische Informatica Motorvoertuigen Leerweg Open Technisch Onderwijs)

Bij een NPN-transistor loopt de basis-stroom van de:
1. basis naar de emitter
2. basis naar de collector
3. emitter naar de basis
Bij een PNP-transistor loopt de basis-stroom van de:
1. basis naar de emitter
2. basis naar de collector
3. emitter naar de basis
Een "normale" transistor komt in geleiding wanneer de spanning tussen de:
1. collector en emitter lager wordt dan ongeveer 0,2 Volt
2. basis en de emitter ongeveer 0,7 Volt bedraagt
3. emitter en de basis ongeveer 1,4 Volt bedraagt
Een Darlington-transistor komt in geleiding wanneer de spanning tussen de:
1. collector en emitter lager wordt dan ongeveer 0,2 Volt
2. basis en de emitter ongeveer 0,7 Volt bedraagt
3. emitter en de basis ongeveer 1,4 Volt bedraagt
Wanneer een "normale" transistor volledig in geleiding is bedraagt de spanning tussen de:
1. collector en emitter ongeveer 0,2 Volt
2. basis en de emitter ongeveer 0,7 Volt
3. emitter en de basis ongeveer 1,4 Volt
De versterkingsfactor van een transistor geeft de verhouding aan tussen de:
1. collectorstroom en de basisstroom
2. collectorstroom en de emitterstroom
3. emitterstroom en de basisstroom
Een diode is een:
1. halfgeleider
2. geleider
3. isolator
Het aantal halfgeleiderplaatjes waaruit een diode is opgebouwd bedraagt:
1. 2
2. 3
3. 4
Het aantal halfgeleiderplaatjes waaruit een transistor is opgebouwd bedraagt:
1. 2
2. 3
3. 4
Een N-plaatje bevat veel:
1. vrije elektronen
2. positieve gaten
3. neutrale protonen
Een P-plaatje bevat veel:
1. vrije elektronen
2. positieve gaten
3. neutrale protonen
Zuiver silicium is een goede:
1. isolator
2. halfgeleider
3. geleider
De materialen koolstof (C), silicium Si) en germanium (Ge) hebben in hun buitenste atoomschil:
1. 4 elektronen
2. 6 elektronen
3. 8 elektronen
De grootte van de collectorstroom door een transistor wordt bepaald door de:
1. weerstand van de in te schakelen verbruiker
2. grootte van de basisstroom
3. versterkingsfactor van de transistor
De geleidbaarheid van een halfgeleider zal bij een hogere temperatuur:
1. toenemen
2. afnemen
3. gelijk blijven
De geleidbaarheid van een geleider zal bij een hogere temperatuur:
1. toenemen
2. afnemen
3. gelijk blijven
De mate van geleiding van een transistor wordt bepaald door de:
1. grootte van de basisstroom
2. drempelspanning van de basis
3. diffusiespanning van de transistor
Het verontreinigen van een siliciumkristal wordt:
1. doteren genoemd
2. semiconducting genoemd
3. tetraëderen genoemd
Het voordeel van een FET ten opzichte van een transistor is dat een FET:
1. met een spanning wordt gestuurd
2. een zeer grote versterkingsfactor heeft
3. veel lagere schakelfrequenties kan schakelen
Het symbool van een FET geeft de richting van de:
1. elektronenstroom aan
2. gatenstroom aan
3. protonenstroom aan
Het symbool van een transistor geeft de richting van de:
1. elektronenstroom aan
2. gatenstroom aan
3. protonenstroom aan
In het afgebeelde symbool van een FET wordt de source aangegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
In het afgebeelde symbool van een FET wordt de gate aangegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
In het afgebeelde symbool van een FET wordt de drain aangegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
Het afgebeelde symbool van een FET stelt een:
1. N-kanaals verrijkingsmosfet voor
2. P-kanaals verrijkingsmosfet voor
3. N-kanaals verarmingsmosfet voor
Het afgebeelde symbool van een FET stelt een:
1. N-kanaals verrijkingsmosfet voor
2. P-kanaals verrijkingsmosfet voor
3. N-kanaals verarmingsmosfet voor
Het afgebeelde symbool van een FET stelt een:
1. N-kanaals verrijkingsmosfet voor
2. P-kanaals verrijkingsmosfet voor
3. N-kanaals verarmingsmosfet voor
Het afgebeelde symbool van een FET stelt een:
1. P-kanaals verarmingsmosfet voor
2. P-kanaals verrijkingsmosfet voor
3. N-kanaals verarmingsmosfet voor
In het afgebeelde symbool van een transistor wordt de basis aangegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
In het afgebeelde symbool van een transistor wordt de collector aangegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
In het afgebeelde symbool van een transistor wordt de emitter aangegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
Door een transistor, met een hfe van 150, vloeit een basisstroom van 100 mA.
De collectorstroom bedraagt:
1. 15,0 Ampère
2. 15,1 Ampère
3. 14,9 Ampère
Door een transistor, met een hfe van 150, vloeit een basisstroom van 100 mA.
De emitterstroom bedraagt:
1. 15,0 Ampère
2. 15,1 Ampère
3. 14,9 Ampère
Wanneer een Darlington-transistor volledig in geleiding is bedraagt de spanning tussen de:
1. collector en de emitter ongeveer 0,9 Volt
2. basis en de emitter ongeveer 0,7 Volt
3. collector en de basis ongeveer 1,4 Volt
Voor de onderstaande schakeling met een "normale" transistor geldt het volgende:
- Uk = 12,0 Volt
- Ue = 5,0 Volt
- Rc = 3 ohm
- hfe = 50
- V4 = 0,2 Volt
- V2 = 0,7 Volt
De grootte van de basisweerstand Rb bedraagt:
1. 54,66 ohm
2. 62,5 ohm
3. 53,75 ohm
Voor de onderstaande schakeling met een "normale" transistor geldt het volgende:
- Uk = 12,0 Volt
- Ue = 5,0 Volt
Wanneer de transistor volledig in verzadiging wordt gestuurd zullen de voltmeters de volgende waarden aangeven:
1.   V1 = 4,3 Volt;
                   V2 = 0,7 Volt
                   V3 = 11,8 Volt
                   V4 = 0,2 Volt
2.   V1 = 3,6 Volt;
                   V2 = 1,4 Volt
                   V3 = 11,1 Volt
                   V4 = 0,9 Volt
3.   V1 = 4,8 Volt;
                   V2 = 0,2 Volt
                   V3 = 11,3 Volt
                   V4 = 0,7 Volt
Voor de onderstaande schakeling met een Darlington-transistor geldt het volgende:
- Uk = 12,0 Volt
- Ue = 5,0 Volt
Wanneer de transistor volledig in verzadiging wordt gestuurd zullen de voltmeters de volgende waarden aangeven:
1.   V1 = 4,3 Volt;
                   V2 = 0,7 Volt
                   V3 = 11,8 Volt
                   V4 = 0,2 Volt
2.   V1 = 3,6 Volt;
                   V2 = 1,4 Volt
                   V3 = 11,1 Volt
                   V4 = 0,9 Volt
3.   V1 = 4,8 Volt;
                   V2 = 0,2 Volt
                   V3 = 11,3 Volt
                   V4 = 0,7 Volt
Voor de onderstaande schakeling met een "normale" transistor geldt het volgende:
- Uk = 12,0 Volt
- Ue = 5,0 Volt
- Rc = 3 ohm
- hfe = 50
- V4 = 4,2 Volt
- V2 = 0,7 Volt
De grootte van de basisweerstand Rb bedraagt:
1. 54,66 ohm
2. 82,7 ohm
3. 153,6 ohm
Voor de onderstaande schakeling met een "normale" transistor geldt het volgende:
- Uk = 12,0 Volt
- Ue = 5,0 Volt
Deze transistor is volledig in geleiding indien de voltmeter:
1. V1 ongeveer 4,3 Volt aangeeft
2. V3 ongeveer 11,3 Volt aangeeft
3. V4 ongeveer 0,2 Volt aangeeft
Voor de onderstaande schakeling met een "normale" transistor geldt het volgende:
- Uk = 12,0 Volt
- Ue = 5,0 Volt
- Rc = 5 ohm
- hfe = 50
- V4 = 4,2 Volt
- V2 = 0,7 Volt
Het vermogen wat door de transistor in warmte wordt omgezet bedraagt:
1. 6,5 Watt
2. 3,5 Watt
3. 7,3 Watt
Tussen een transistor en een koelplaat bevindt zich een plaatje "mica".
De functie van dit plaatje is om:
1. de warmte-afvoer van de transistor te verbeteren
2. de transistor elektrisch te isoleren ten opzichte van de koelplaat
3. trillingen op te vangen om de transistor mechanisch te beschermen
Om een snelle indicatie te krijgen van een tranistor dient met een ohm-meter:
1. 6 metingen uitgevoerd te worden
2. 9 metingen uitgevoerd te worden
3. 3 metingen uitgevoerd te worden
Wanneer de lichtsterkte op een fotodiode wordt vergroot zal de:
1. sperstroom toenemen
2. drempelspanning toenemen
3. ohmse weerstand toenemen
Om een snelle indicatie te krijgen van een diode dient met een ohm-meter:
1. 2 metingen uitgevoerd te worden
2. 4 metingen uitgevoerd te worden
3. een diode kan niet goed gecontroleerd worden met een ohm-meter
Om een snelle indicatie te krijgen van een zenerdiode dient met een ohm-meter:
1. 2 metingen uitgevoerd te worden
2. 4 metingen uitgevoerd te worden
3. een zenerdiode kan niet gecontroleerd worden met een ohm-meter
In serie met de voeding van een elektrische verbruiker staat een diode in doorlaatrichting geschakeld.
De functie van deze diode is:
1. polariteitsbeveiliging van de verbruiker
2. inductiespanningen afkomstig van de verbruiker blokkeren
3. stoorspanningen vanaf de minzijde van de voeding blokkeren
Een fotodiode welke het beste reageert op infrarood licht is vervaardigd uit:
1. silicium
2. germanium
3. fosfor
De basis van een transistor is te vergelijken met de:
1. gate van een fet
2. source van een fet
3. drain van een fet
In de afgebeelde gelijkrichtbrug is de gelijkgerichte "+ zijde" aangegeven met het cijfer:
1. 1
2. 3
3. 4
In de afgebeelde gelijkrichtbrug is de gelijkgerichte "- zijde" aangegeven met het cijfer:
1. 1
2. 3
3. 4
Een Darlington-transistor is opgebouwd uit 2 NPN-transistoren met elk een hfe van 40.
Bij een basis-stroom van 3 mA bedraagt de collectorstroom:
1. 4,8 Ampère
2. 0,24 Ampère
3. 0,53 Ampère
In de onderstaande afbeelding is een PNP-transistor als dioden-model weergegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
In de onderstaande afbeelding is een NPN-transistor als dioden-model weergegeven door:
1. 1
2. 2
3. 3
Het onderstaande vervangingsschema stelt een:
1. thyristor voor
2. darlington voor
3. inverter voor
Het onderstaande vervangingsschema stelt een:
1. thyristor voor
2. darlington voor
3. inverter voor
Het onderstaande vervangingsschema stelt een:
1. thyristor voor
2. darlington voor
3. inverter voor
Een thyristor wordt ook wel een:
1. schakelbare diode genoemd
2. trigger-transistor genoemd
3. junctie-diode genoemd
Een thyristor gaat uit geleiding op het moment dat:
1. de stroomsterkte door de thyristor onder de houdstroom komt
2. de spanning op de gate lager wordt dan 0,2 Volt
3. de spanning op de anode hoger wordt dan aan de kathode
Voor een spanningsstabilisator wordt meestal een:
1. zenerdiode gebruikt
2. diode gebruikt
3. thyristor gebruikt
Het aantal halfgeleiderplaatjes waaruit een thyristor is opgebouwd bedraagt:
1. 2
2. 3
3. 6
De "pijlpunt" in het symbool van een transistor geeft de richting van de:
1. hoofdstroom en stuurstroom aan
2. hoofdstroom aan
3. stuurstroom aan
Over de schakeltransistor van een bobine staat over de collector en de emitter een zenerdiode geschakeld.
Dit wordt gedaan om:
1. de transistor te beschermen tegen de inductiespanningen van de bobine
2. de hoogte van de zelfinductiespanning van de bobine te verhogen
3. de transistor bij hogere motortoerentallen sneller te kunnen schakelen
De stuur-aansluiting van een thyrsistor wordt de:
1. gate genoemd
2. basis genoemd
3. source genoemd
De stuur-aansluiting van een FET wordt de:
1. gate genoemd
2. basis genoemd
3. source genoemd
De stuur-aansluiting van een transistor wordt de:
1. gate genoemd
2. basis genoemd
3. source genoemd
De maximale bedrijfstemperatuur van een germanium halfgeleider bedraagt ongeveer:
1. 70 °Celsius
2. 170 °Celsius
3. 120 °Celsius
De maximale bedrijfstemperatuur van een silicium halfgeleider bedraagt ongeveer:
1. 70 °Celsius
2. 170 °Celsius
3. 120 °Celsius
Wanneer de lichtinval op een LDR wordt vergroot zal de:
1. weerstandswaarde afnemen
2. sperstroom toenemen
3. drempelspanning afnemen
Een groot voordeel van een led is de inschakeltijd van ongeveer:
1. 50 ns
2. 50 ms
3. 50 µsec
Het controlelampje van een dynamo is uitgevoerd als een led.
In serie met deze led is een weerstand en een diode geschakeld.
De functie van de diode is:
1. de led beschermen tegen een te hoge doorslagspanning
2. om de stroomsterkte naar de dynamo te vergroten
3. spanningsstabilisator voor de led
Van de afgebeelde led is de min-zijde aangegeven met het cijfer:
1. 1
2. 2
3. 2 en 3
Het rendement van een rode led bedraagt ongeveer:
1. 50 %
2. 90 %
3. 70 %
De brandspanning en doorlaatstroom van een led bedragen:
1. brandspanning = 2,0 Volt;
  doorlaatstroom = 20 mA
2. brandspanning = 1,4 Volt;
  doorlaatstroom = 40 mA
3. brandspanning = 3,7 Volt;
  doorlaatstroom = 5 mA
Het voordeel van een fotodiode ten opzichte van een LDR is dat een fotodiode:
1. veel sneller reageert op lichtvariaties
2. niet reageert op infrarood licht
3. geen spanningsbron nodig heeft
De halfgeleiders welke voornamelijk in sperrichting worden gebruikt zijn de:
1. fotodiode en de zenerdiode
2. LDR en de thyristor
3. led en de varistor
Om de warmte-ontwikkeling van een transistor zo laag mogelijk te houden wordt een tranistor meestal gebruikt als:
1. schakelaar
2. stroomversterker
Bij een foto-transistor is de volgende aansluiting varvangen door een lichtvenstertje:
1. basis
2. collector
3. emitter
Een transistor is in geleiding.
De grootste stroom vloeit door de aansluiting:
1. emitter
2. collector
3. basis
Een transistor is in geleiding.
De kleinste stroom vloeit door de aansluiting:
1. emitter
2. collector
3. basis
Het afgebeelde onderdeel is in ieder geval GEEN:
1. transistor
2. thyristor
3. diode
De "pijlpunt" in het symbool van een FET geeft de richting van de:
1. elektronenstroom aan
2. gatenstroom aan
3. protonenstroom aan
Het juiste symbool van een NTC wordt voorgesteld door:
1. 1
2. 2
3. 3
Het juiste symbool van een PTC wordt voorgesteld door:
1. 1
2. 2
3. 3
Het juiste symbool van een LDR wordt voorgesteld door:
1. 1
2. 2
3. 3
Een NTC wordt meestal toegepast als:
1. temperatuursensor
2. temperatuurschakelaar
3. temperatuurbeveiliging
Een PTC wordt meestal toegepast als:
1. temperatuursensor
2. temperatuurschakelaar
3. temperatuurbeveiliging
Het juiste symbool van een zenerdiode wordt voorgesteld door:
1. 1
2. 2
3. 3
Afgebeeld scoopbeeld is gemeten op aansluiting 85 van een relaisspoel tijdens het uitschakelen.
Om de inductiespanningen te beperken is de relaisspoel beveiligd met een:
1. vrijloopdiode
2. zenerdiode
3. tunneldiode
Afgebeeld scoopbeeld is gemeten op aansluiting 85 van een relaisspoel tijdens het uitschakelen.
Om de inductiespanningen te beperken is de relaisspoel beveiligd met een:
1. vrijloopdiode
2. zenerdiode
3. tunneldiode
De sensor waarvan de weerstand afneemt bij een spanningstoename is een:
1. VDR
2. MDR
3. LDR
De sensor waarvan de weerstand toeneemt bij een toename van de fluxdichtheid is een:
1. VDR
2. MDR
3. LDR
In het onderstaande schema bevindt zich een weerstand R tussen de gate en de source om:
1. de fet weer uit te laten schakelen
2. de stroom te begrenzen tussen de gate en de source
3. de spanning op de gate te begrenzen
Om een NPN-transistor als schakelaar te gebruiken dient de transistor:
1. in verzadiging te worden gestuurd
2. zo ver open gestuurd te worden dat de emitter-spanning 0 Volt bedraagt
3. ingeschakeld te worden zonder gebruik te maken van een basisweerstand
Onderstaande karakteristiek is van een:
1. PTC
2. LDR
3. VDR
Onderstaande karakteristiek is van een:
1. NTC
2. LDR
3. PTC
Onderstaande karakteristiek is van een:
1. zenerdiode
2. diode
3. VDR
Onderstaande karakteristiek is van een:
1. led
2. fotodiode
3. ldr
Het laadsysteem van een auto is uitgevoerd met een overspanningsbeveiliging.
Wanneer de overspanningsbeveiliging is ingeschakeld dient het contact aan en uit gezet om deze te resetten.
De halfgeleider welke wordt uitgeschakeld tijdens het resetten is een:
1. thyristor
2. zenerdiode
3. field effect transistor
Onderstaande schakeling stabiliseert de klemspanning voor de verbruiker R2.
De klemspanning op de verbruiker R2 bedraagt:
1. 6,1 Volt
2. 7,5 Volt
3. 13,4 Volt
Onderstaande schakeling stabiliseert de klemspanning voor de verbruiker R2.
Het vermogen wat in de transistor in warmte wordt omgezet bedraagt:
1. 13,9 Watt
2. 1,22 Watt
3. 23,3 Watt
Wanneer een transistor volledig in geleiding is vloeit door:
1. alle aansluitingen een andere stroomsterkte
2. de collector en de emitter dezelfde stroomsterkte
3. de collector geen basisstroom meer
Wanneer een fet volledig in geleiding is vloeit door:
1. alle aansluitingen dezelfde stroomsterkte
2. de drain en de source dezelfde stroomsterkte
3. de gate geen stroomsterkte meer

meerkeuzetoetsHalfgeleiders

meerkeuzetoets

Halfgeleiders